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PI 聚酰亞胺在晶圓制造的烘烤工藝(PI烤箱)
來源: | 作者:雋思半導(dǎo)體設(shè)備部 | 發(fā)布時間: 2024-04-02 | 844 次瀏覽 | 分享到:

光敏性聚酰亞胺在晶圓制造工藝的反應(yīng)過程如下:

1.涂布和預(yù)烘烤:聚酰亞胺前質(zhì)涂布到晶圓表面,并經(jīng)過熱板預(yù)烘焙。

2.曝光/顯影:聚酰亞胺前質(zhì)是一種負膠,在曝光的區(qū)域產(chǎn)生交聯(lián),沒有曝光的地方被顯影液沖洗除去。

3、熱固化:留下的被曝光區(qū)域經(jīng)過熱固化后變?yōu)榫埘啺纺印?/span>

   預(yù)烘烤也叫軟烘烤,其作用主要是用相對較低的溫度,移去聚酰亞胺前質(zhì)涂布后殘余的溶劑,使膜層的流動性降低,以便于接下來的曝光定義圖形,提高膜層與晶圓的附著力,減少膜層在旋轉(zhuǎn)過程中的應(yīng)力,同時提高膜層的抗機械摩擦能力。

預(yù)烘烤的方式分為:烘箱(潔凈烘箱)烘烤,及高精度熱板加熱法。一般在先進的晶圓制造廠內(nèi),都選用熱板加熱法,其優(yōu)點是溶劑由里向外揮發(fā)的,有利于溶劑的充分揮發(fā),另外熱板法傳熱快,溫度均勻,時間短。熱板法是最方便的連續(xù)生產(chǎn)解決方案

   PI固化必須在一個通風良好,充氮氣的PI固化烤箱中進行,因為在固化過程中有揮發(fā)性物質(zhì)生成。為了去處高溫固化過程中酰亞胺化反應(yīng)產(chǎn)生的副產(chǎn)物必需有一個良好的通風,在排氣管中需要安裝一個合適的 taps.烘培爐氣體環(huán)境中的氧氣含量越低越好。為了得到最好的機械性能最好低于20ppm但不能高于50ppm。

   區(qū)別與正光刻膠較低的烘烤溫度(約100~130℃),聚酰亞胺要求比較高的固化溫度(320~360℃),升溫時以線形升溫為佳,3~5℃每分鐘,達到最終固化溫度后最少保持 30分鐘,但最長不要超過60分鐘,因為在此溫度條件下更長的固化時間對聚酰亞胺地機械以及熱性能沒有明顯的改變。在PI烤箱固化過程中會發(fā)生重量減少,并且伴隨著膜厚減少大約 40~50%,但對圖案的清晰度影響不大。固化完成后的降溫也最好保持線形,并且需等晶圓冷卻到低于200℃后反可從PI烤箱中取出。