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     SiC碳化硅（HMDS預(yù)處理系統(tǒng)）是由碳元素和硅元素組成的一種化合物半導(dǎo)體材料，是制作高溫、高頻、大功率、高壓器件的理想材料之一。

碳化硅原材料核心優(yōu)勢體現(xiàn)在：

（1）耐高壓：更低的阻抗、更寬的禁帶寬度，能承受更大的電流和電壓，帶來更小尺寸的產(chǎn)品設(shè)計(jì)和更高的效率；

（2）耐高頻：SiC器件在關(guān)斷過程中不存在電流拖尾現(xiàn)象，能有效提高元件的開關(guān)速度（大約是Si的3-10倍），適用于更高頻率和更快的開關(guān)速度；

（3）耐高溫：SiC相較硅擁有更高的熱導(dǎo)率，能在更高溫度下工作。

    相比傳統(tǒng)的硅材料（Si），碳化硅（SiC）的禁帶寬度是硅的3倍；導(dǎo)熱率為硅的4-5倍；擊穿電壓為硅的8-10倍；電子飽和漂移速率為硅的2-3倍。

碳化硅晶片應(yīng)用于肖特基二極管、 MOSFET、IGBT等，主要用于電動(dòng)汽車、光伏發(fā)電、軌道交通、數(shù)據(jù)中心、充電等基礎(chǔ)建設(shè)。   

半絕緣型碳化硅基射頻器件是通過在半絕緣型碳化硅襯底上生長氮化鎵外延層，制得碳化硅基氮化鎵外延片后進(jìn)一步制成，包括HEMT等氮化鎵射頻器件，主要用于5G通信、車載通信、國防應(yīng)用、數(shù)據(jù)傳輸、航空航天。

碳化硅晶片HMDS預(yù)處理系統(tǒng)性能：

涂布方式：氣相沉積

使用溫度：RT+50-200℃

真空度：≤1torr

設(shè)備材質(zhì)：內(nèi)箱采用316L醫(yī)用不銹鋼

運(yùn)行方式：一鍵運(yùn)行，自動(dòng)完成工藝處理，并有結(jié)束提示音

尺寸大?。?50*450*450mm

兼容性：2-12寸晶圓及方片等

儲(chǔ)液瓶：HMDS儲(chǔ)液量1000ml 

真空泵：進(jìn)口干式真空泵

數(shù)據(jù)處理：多個(gè)工藝配方存儲(chǔ)，使用數(shù)據(jù)記錄

保護(hù)裝置：低液位報(bào)警，HMDS藥液泄漏報(bào)警，超溫保護(hù)并斷開加熱，漏電保護(hù)等